ES1J超快恢复二极管-超快恢复二极管-ASEMI(查看)

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摘要 : 【干的干货】ASEMI半导体桥堆产品好坏测试之电阻测试法，台湾ASEMI品牌整流桥，原装芯片与生产工艺，20年研发制造，质量稳定真'芯'.ASEMI半导体产品好坏测试之电阻测试法.

    【工程师告诉您：台湾ASEMI半导体半导体产品测试好坏的方法】

      台湾ASEMI半导体是鼎芯股份旗下从事电源整流器件开发的品牌，其整流桥产品广泛应用在众多品牌电器电源产品当中，于是很多搞工程维修的人员经常需要通过判断桥堆的好坏来排查电路中存在的问题。对于非人员来说怎么测试其好坏常常都很犯难，那么ASEMI整流桥如何判断好坏呢？今天就为大家带来整流桥测试法之--电阻测试法。

    【干干货：ASEMI半导体测试法之--电阻测试法】

       首先我们将万用表的档位打到电阻档位，一般200K欧姆档都可以。然后用红色探笔接桥堆的负极，黑色探头任意测整流桥交流脚位，ES1J_超快恢复二极管，此时有读值则说的该单颗二极管是正常的，倘若读值为无穷大，US1M超快恢复二极管，则说明该颗二极管已坏。同理的方法我将红笔接桥堆的正极，黑笔探头任意接整流桥的交流脚位，此时有读值则说明该颗二极管的正常的，倘若读值为无穷大这说明该二极管已坏。这样我们就可以判断到每一颗芯片是否为正常状态。

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摘要 : 反向截止：当PN结加上反正电压，即P区接蓄电池负极，N区接蓄电池正极时，PN结处于截止状态，如图所示，试灯没有电流通过，不能点亮。 二极管接反向电压时，存在着一个耐压的问题

反向截止：当PN结加上反正电压，即P区接蓄电池负极，N区接蓄电池正极时，超快恢复二极管，PN结处于截止状态，如图所示，试灯没有电流通过，不能点亮。

二极管接反向电压时，存在着一个耐压的问题：如果加在二极管的反向电压过高，二极管受不了，就会击穿，此时二极管不在处于截止状态，而是处于导通状态。如果我们设定一个击穿电压，当达到反向击穿电压时，二极管会击穿导通。如果现在电压又小于了击穿电压，二极管会怎么样？对于普通二极管，此时还会处于导通状态，这意味着二极管已经失去了反向截止的作用了。后面会提到一种稳压二极管，我们设定一个击穿电压，当达到反向击穿电压时，二极管会击穿导通。如果现在电压又小于了击穿电压，二极管恢复到截止状态。

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摘要 : 导读：ASEMI半导体强势回归--揭秘半导体命名方法。本篇ASEMI半导体将带领大家一起了解，各地对于半导体各种元器件的命名方法，揭开半导体元器件的神秘面纱，帮助更多半导

导读：ASEMI半导体强势回归--揭秘半导体命名方法。本篇ASEMI半导体将带领大家一起了解，各地对于半导体各种元器件的命名方法，揭开半导体元器件的神秘面纱，帮助更多半导体从业者和爱好者，好地方便的辨认各国元器件真伪以及快速的选型。

开头先讲的，是包括ASEMI半导体在内的我们半导体。

半导体器件型号由五部分组成，并且这五部分的命名都有各自的含义。同时需要跟大家强调的是，场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件这几种特殊的型号命名只有第三、四、五部分。接下来就让我们一起来看看这五部分究竟是什么吧~

首先是：用数字表示半导体器件中的有效电极数目。比如说2是代表着二极管、3则是代表着三极管；第二部分：半导体传统情况下会用汉语的拼音字母表示半导体器件的材料和极性；第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型，比如说P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流桥堆；第四部分：用数字表示序号；第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 。

之外，半导体发展迅速的可以说是大家耳熟能详的美国，ASEMI半导体生产基地所在的地区就是被称为，那么真正的硅谷是在哪里呢？对了，就是美国，美国半导体的发展一直以为都是属于前茅，但是美国半导体的命名却比较混乱。同样也有五部分组成：

部分：用符号表示器件用途的类型。

第2部分：用数字表示pn结数目。

第3部分：美国电子工业协会注册标志。

第4部分：美国电子工业协会登记顺序号。

第5部分：用字母表示器件分档。